硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique

GB/T 14142-2017现行国家标准

标准状态

发布于：2017-09-29

实施于：2018-04-01

废止

标准号GB/T 14142-2017

标准状态现行

发布日期2017-09-29

实施日期2018-04-01

中国标准分类号H25 金属化学性能试验方法

国际标准分类号77.040 金属材料试验

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 14142-1993

起草单位南京国盛电子有研公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、有研半导体材料有限公司

起草人马林宝、骆红、陈赫、张海英、杨帆、刘小青

本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2μm，缺陷密度的测试范围0~10000cm-2。