硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy

GB/T 24578-2009已废止国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

已废止

标准号GB/T 24578-2009

标准状态已废止

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准化管理委员会

技术归口全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子有限公司

起草人孙燕、李俊峰、张静、翟富义、楼春兰、卢立延

本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X 光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X 光源全反射X 光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。本标准适用于N 型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。