晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量
Crystalline silicon photovoltaic(PV) array--On-site measurement of I-V characteristics
标准状态
发布于：2000-10-17
实施于：2001-05-01
已废止
基本信息
GB/T 18210-2000
已废止
2000-10-17
2001-05-01
工业和信息化部（电子）
国家质量技术监督局
工业和信息化部（电子）
信息产业部电子第十八研究所
标准简介
本标准描述晶体硅光伏方阵特性的现场测量及将测得的数据外推到标准测试条件（STC）或其他选定的温度和辐照度条件下的程序。 光伏方阵在实际现场条件下的I-V特性测量及其验收测试条件（ATC）下的外推值，能够提供（参见附录A和IECQ QC001002）： a)功率额定值的数据； b)验证已安装的方阵功率性能是否符合设计规范； c)检测现场组件特性与实验室或工厂测量之间的差异； d)检测组件和方阵相对于现场初期数据的性能衰降。 对于某一个组件，现场测量经外推到标准测试
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