激光器外延芯片用砷化镓衬底

Gallium arsenide substrates for laser epitaxial chips

GB/T 47901-2026即将实施国家标准

标准状态

发布于：2026-07-02

实施于：2027-02-01

废止

标准号GB/T 47901-2026

标准状态即将实施

发布日期2026-07-02

实施日期2027-02-01

中国标准分类号H83 化合物半导体材料

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

提出单位全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC 2）

起草单位广东先导微电子科技有限公司、全磊光电股份有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、山东华光光电子股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、厦门银科启瑞半导体科技有限公司、广东晶智光电科技有限公司、桂林光隆科技集团股份有限公司

起草人王金灵、周铁军、刘留、单智发、吴春龙、惠峰、孙聂枫、马金峰、吴德华、刘强、王玉、狄聚青、陈春明、郑兆河

本文件规定了激光器外延芯片用砷化镓衬底的分类和牌号，技术要求，试验方法，检验规则，标志和随行文件，包装、运输和贮存，以及订货单内容。本文件适用于传感器、光通信等领域用激光器外延芯片用砷化镓衬底（以下简称“衬底片”）的生产、检验与质量评价。