碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷试验方法
Gate charge test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor（SiC MOSFET）
标准状态
发布于：2025-12-30
实施于：2025-12-30
废止
基本信息
T/CASAS 037-2027
现行
2025-12-30
2025-12-30
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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标准简介
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷试验方法，包括：试验原理、试验电路、试验条件以及数据处理方法。 本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性试验等工作场景，可用于以下试验目标器件： a） 增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品； b） 含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。
内容预览
