掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
标准状态
发布于：1992-02-19
实施于：1992-10-01
废止
基本信息
标准简介
本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。 本标准适用于掺杂剂浓度10～10cm（电阻率0.0001～10，000Ω·cm）掺硼硅单晶和10～5×10cm（电阻率0.0002～4，000Ω·cm）掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算，也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
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