非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method

GB/T 17170-1997已废止国家标准

标准状态

发布于：1997-12-22

实施于：1998-08-01

已废止

标准号GB/T 17170-1997

标准状态已废止

发布日期1997-12-22

实施日期1998-08-01

中国标准分类号H21 金属物理性能试验方法

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准化管理委员会

技术归口全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位电子工业部第四十六研究所

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。