高压MOSFET用200 mm硅外延片
200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET
标准状态
发布于：2022-12-08
实施于：2022-12-31
废止
基本信息
T/ZZB 2833-2022
现行
2022-12-08
2022-12-31
浙江省品牌建设联合会
浙江省品牌建设联合会
浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司
许峰、李慎重、李刚、刘红方、朱华英、李方虎、李艳玲
标准简介
本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片(以下简称硅外延片)的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺。 本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm~80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件(简称高压MOSFET)。
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