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半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法

Measurement of laser marking depth of semiconductor wafer — White light interference method

T/CASAS 069-2026现行团体标准

标准状态

发布于:2026-05-06
实施于:2026-05-06
废止

基本信息

T/CASAS 069-2026
现行
2026-05-06
2026-05-06
29.045 半导体材料
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准简介

本文件规定了半导体晶片激光刻字深度的白光干涉检测方法,包括原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度和测量不确定度以及报告。 本文件适用于采用白光干涉技术对包括切割片、研磨片和抛光片在内的半导体晶片(含硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝等)的激光刻字深度的测量。

内容预览

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