碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
标准状态
发布于：2023-08-06
实施于：2024-03-01
废止
基本信息
GB/T 42902-2023
现行
2023-08-06
2024-03-01
国家标准委
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
国家标准委
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
安徽长飞先进半导体有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、广东天域半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司
钮应喜、袁松、仇光寅、李京波、杨龙、闫果果、张会娟、刘敏、彭铁坤、袁肇耿
标准简介
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。 本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
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