半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects
标准状态
发布于：2023-12-28
实施于：2024-07-01
废止
基本信息
GB/T 43493.1-2023
现行
2023-12-28
2024-07-01
国家标准委
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
国家标准委
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
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标准简介
本文件给出了4H-SiC(碳化硅）同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按品体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL）和X射线形貌（XRT))图像等无损检测方法进行识别。
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