低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
标准状态
发布于：2017-10-14
实施于：2018-07-01
废止
基本信息
GB/T 34481-2017
现行
2017-10-14
2018-07-01
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
云南中科鑫圆晶体材料有限公司、中科院半导体研究所、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
惠峰、普世坤、董汝昆
标准简介
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。 本标准适用于测试位错密度小于1000个／cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
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