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微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer

GB/T 34900-2017现行国家标准

标准状态

发布于:2017-11-01
实施于:2018-05-01
废止

基本信息

GB/T 34900-2017
现行
2017-11-01
2018-05-01
L55 微电路综合
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
天津大学、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第十三研究所、中机生产力促进中心、南京理工大学
郭彤、胡晓东、裘安萍、程红兵、李海斌、于振毅、崔波、朱悦

标准简介

本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。 本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。

内容预览

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