锑化铟多晶、单晶及切割片

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GB/T 11072-2009现行国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

废止

标准号GB/T 11072-2009

标准状态现行

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H83 化合物半导体材料

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 11072-1989

起草单位峨嵋半导体材料厂

起草人王炎、何兰英、张梅

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。