Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法

Test method for lattice constant of III-nitride epitaxial layers

GB/T 30654-2014现行国家标准

标准状态

发布于：2014-12-31

实施于：2015-09-01

废止

标准号GB/T 30654-2014

标准状态现行

发布日期2014-12-31

实施日期2015-09-01

中国标准分类号H21 金属物理性能试验方法

国际标准分类号77.040.20 金属材料无损检测

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

起草单位中国科学院半导体研究所

起草人孙宝娟、赵丽霞、李晋闽、王军喜、曾一平

本标准规定了利用高分辨X射线衍射测试族氮化物外延片晶格常数的方法。本标准适用于在氧化物衬底（A120、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物（Ga，In，A1）N单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可参考本标准。