硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

practice for shallow etch pit detection on silicon

GB/T 26066-2010现行国家标准

标准状态

发布于：2011-01-10

实施于：2011-10-01

废止

标准号GB/T 26066-2010

标准状态现行

发布日期2011-01-10

实施日期2011-10-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

起草单位洛阳单晶硅有限责任公司

起草人田素霞、张静雯、王文卫、周涛

本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于O．OOlΩ?cm。