重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

GB/T 14847-1993已废止国家标准

标准状态

发布于：1993-12-30

实施于：1994-09-01

已废止

标准号GB/T 14847-1993

标准状态已废止

发布日期1993-12-30

实施日期1994-09-01

中国标准分类号H21 金属物理性能试验方法

主管部门国家标准化管理委员会

技术归口全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位机电部四十六所

本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。