碳化硅晶体材料缺陷图谱
Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
标准状态
发布于：2023-12-28
实施于：2024-07-01
废止
基本信息
GB/T 43612-2023
现行
2023-12-28
2024-07-01
国家标准委
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
国家标准委
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
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标准简介
本文件规定了导电型4H碳化硅（4H-SiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。 本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺）的研发、生产及检测分析等环节。
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