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基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法

DB13/T 5696-2023已废止地方标准

标准状态

发布于:2023-05-06
实施于:2023-06-06
已废止

基本信息

DB13/T 5696-2023
已废止
2023-05-06
2023-06-06
L40 半导体分立器件综合
31.080 半导体分立器件
河北省市场监督管理局
石家庄市市场监督管理局
石家庄市市场监督管理局
河北博威集成电路有限公司
郭跃伟、王鹏、张博、王静辉、闫志峰、郝永利、王景亮、刘子浩

标准简介

本文件规定了基于高温反偏试验的GaN HEMT射频功率器件缺陷快速筛选的筛选原理、筛选条件、筛选系统构成和要求、筛选方法和判据。 本文件适用于工业级GaN HEMT射频功率器件的快速筛选,GaN HEMT射频功率模块可参照使用。

内容预览

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