GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法

DB13/T 5695-2023已废止地方标准

标准状态

发布于：2023-05-06

实施于：2023-06-06

已废止

标准号DB13/T 5695-2023

标准状态已废止

发布日期2023-05-06

实施日期2023-06-06

中国标准分类号L40 半导体分立器件综合

国际标准分类号31.080 半导体分立器件

发布部门河北省市场监督管理局

技术归口石家庄市市场监督管理局

提出单位石家庄市市场监督管理局

起草单位河北博威集成电路有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、气派科技股份有限公司

起草人卢啸、张博、郭跃伟、闫志峰、郝永利、段磊、王静辉、王鹏、付兴中、陈勇

本文件规定了GaN HEMT射频器件陷阱效应的测试原理、测试环境、测试系统、测试步骤、试验数据处理。本文件适用于GaN HEMT射频器件陷阱效应评估，GaN HEMT射频芯片、模块和晶圆级封装产品可参照使用。