硅片径向电阻率变化的测量方法

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

GB/T 11073-2007已废止国家标准

标准状态

发布于：2007-09-11

实施于：2008-02-01

已废止

标准号GB/T 11073-2007

标准状态已废止

发布日期2007-09-11

实施日期2008-02-01

中国标准分类号H17 半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号77.040.01 金属材料试验综合

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 11073-1989

起草单位峨嵋山半导体材料厂

本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。