半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)

Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）

GB/T 43894.1-2024现行国家标准

标准状态

发布于：2024-04-25

实施于：2024-11-01

废止

标准号GB/T 43894.1-2024

标准状态现行

发布日期2024-04-25

实施日期2024-11-01

中国标准分类号H21 金属物理性能试验方法

国际标准分类号77.040 金属材料试验

主管部门国家标准委

发布部门国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

提出单位全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位山东有研半导体材料有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、中环领先半导体材料有限公司、鸿星科技（集团）股份有限公司

起草人王玥、朱晓彤、徐新华、徐国科、陈海婷、丁雄杰、孙燕、宁永铎、李春阳、张海英、郭正江

本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI订片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。