碳化硅外延层厚度的测试红外反射法

Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method

GB/T 42905-2023现行国家标准

标准状态

发布于：2023-08-06

实施于：2024-03-01

废止

标准号GB/T 42905-2023

标准状态现行

发布日期2023-08-06

实施日期2024-03-01

中国标准分类号H21 金属物理性能试验方法

国际标准分类号77.040 金属材料试验

主管部门国家标准委

发布部门国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

提出单位全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位安徽长飞先进半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、安徽芯乐半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所

起草人钮应喜、刘敏、丁雄杰、吴会旺、李京波、张会娟、雷浩东、闫果果、袁松、赵丽霞、仇光寅、李素青、赵跃、彭铁坤

本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3μm~200μm。