氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers

GB/T 41751-2022现行国家标准

标准状态

发布于：2022-10-14

实施于：2023-02-01

废止

标准号GB/T 41751-2022

标准状态现行

发布日期2022-10-14

实施日期2023-02-01

中国标准分类号H21 金属物理性能试验方法

国际标准分类号77.040 金属材料试验

主管部门国家标准委

发布部门国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

提出单位全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、厦门柯誉尔科技有限公司、福建兆元光电有限公司、苏州纳维科技有限公司、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司

起草人邱永鑫、徐科、李腾坤、左洪波、杨鑫宏、邝光宁、王建峰、任国强、郑树楠、刘立娜、丁崇灯、陈友勇

本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化稼单晶衬底片晶面曲率半径的测试，氮化榢外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。