碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
Test method for the content of metal elements on the surface of silicon carbide wafer—Inductively coupled plasma mass spectrometry
标准状态
发布于：2023-06-19
实施于：2023-06-19
废止
基本信息
T/CASAS 032-2023
现行
2023-06-19
2023-06-19
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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崔潆心、陈秀芳、谢雪健、杨祥龙、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏
标准简介
本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。 本文件适用于100mm(4吋)~200mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。
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