半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method

GB/T 19199-2003已废止国家标准

标准状态

发布于：2003-06-16

实施于：2004-01-01

已废止

标准号GB/T 19199-2003

标准状态已废止

发布日期2003-06-16

实施日期2004-01-01

中国标准分类号H82 元素半导体材料

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准化管理委员会

技术归口全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于1．0×107 Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的测定。可测定的最低碳浓度为4.0×1014 cm-3。