椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer

GB/T 31225-2014现行国家标准

标准状态

发布于：2014-09-30

实施于：2015-04-15

废止

标准号GB/T 31225-2014

标准状态现行

发布日期2014-09-30

实施日期2015-04-15

中国标准分类号J04 基础标准与通用方法

国际标准分类号17.040.01 长度和角度测量综合

主管部门中国科学院

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口中国科学院

起草单位上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心

起草人金承钰、李威、何丹农、张冰、梁齐、路庆华

本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅层厚度的方法。本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm~1000nm厚的二氧化硅薄层厚度，其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。