低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

GB/T 24581-2009已废止国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

已废止

标准号GB/T 24581-2009

标准状态已废止

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

起草单位四川新光硅业科技有限责任公司

起草人梁洪、过惠芬、吴道荣

本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。