碳化硅单晶生长用等静压石墨
Iso-static graphite for silicon carbide single crystals
标准状态
发布于：2025-04-23
实施于：2025-04-23
废止
基本信息
T/CASAS 048-2025
现行
2025-04-23
2025-04-23
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、杭州海乾半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
屈睿航、周明、董博宇、吴厚政、李贺、杨牧龙、彭珍珍、张静、田涛、李殿浦、袁振洲、宁秀秀、侯晓蕊、杨弥珺、武雷、徐明升、张逊熙、刘涛、曹洪涛、赵正星、范金桃、孔令沂、曾一平、徐瑞鹏。
标准简介
等静压石墨是由碳骨料、沥青等原材料通过磨粉、混捏、等静压成型、焙烧、浸渍、石墨化、纯化等工艺制造而成的石墨，也称为“各向同性”石墨。等静压石墨在碳化硅单晶生长过程中应用广泛，主要用于制造碳化硅单晶生长用的热场构件，如加热器、坩埚、籽晶托等。这些构件对于单晶生长过程的稳定性和晶体质量具有重要影响，质量良好、性能匹配的等静压石墨热场能够有效提升晶体生长良率。 我国的石墨产业发展迅速，但存在“高端产能不足，中低端产能过剩”的问题。近年来，随着半导体材料性能要求的日益提高，等静压石墨材料质量成为商家关注的重点。
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