硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
标准状态
发布于：2010-09-26
实施于：2011-08-01
废止
基本信息
GB/T 25188-2010
现行
2010-09-26
2011-08-01
中国科学院
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
中国科学院
中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院
刘芬、王海、赵志娟、邱丽美、赵良仲、宋小平
标准简介
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。
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