化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
标准状态
发布于：2011-01-10
实施于：2011-10-01
废止
基本信息
GB/T 26070-2010
现行
2011-01-10
2011-10-01
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
中国科学院半导体研究所
陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立
标准简介
1.1 本标准规定了Ⅲ—Y族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。
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