重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

GB/T 14847-2010已废止国家标准

标准状态

发布于：2011-01-10

实施于：2011-10-01

已废止

标准号GB/T 14847-2010

标准状态已废止

发布日期2011-01-10

实施日期2011-10-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 14847-1993

起草单位宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心

起草人李慎重、何良恩、何秀坤、许峰、刘培东

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在23℃电阻串小于0.02Ω?cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω?cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。