硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
标准状态
发布于：2015-12-10
实施于：2017-01-01
已废止
基本信息
GB/T 24578-2015
已废止
2015-12-10
2017-01-01
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
GB/T 24578-2009
有研新材料股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、万向硅峰电子股份有限公司
孙燕、李俊峰、朱兴萍、楼春兰、潘紫龙
标准简介
本标准规定了使用全反射X光荧光光谱，定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片)，尤其适用于硅片清洗后自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的定，测定范围为10 9 atoms/cm 2～ 10 15 atoms/cm 2 。本标准同样适用于其他半导体材料，如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。 对良好的镜面抛光表面，可探测深度约5nm，分析深度随表面粗糙度的改善而增大。 本方法可检测元素周期表中原子序数 16(S)～92(U
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