硅材料原生缺陷图谱

Metallographs collection for original defects of crystalline silicon

GB/T 30453-2013现行国家标准

标准状态

发布于：2013-12-31

实施于：2014-10-01

废止

标准号GB/T 30453-2013

标准状态现行

发布日期2013-12-31

实施日期2014-10-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

起草单位有研半导体材料股份有限公司、南京国盛电子有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、杭州海纳半导体有公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国有色金属工业标准化计量质量研究所

起草人孙燕、曹孜、谭卫东、黄笑容、翟富义、杨旭

本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。