半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
标准状态
发布于：2022-12-30
实施于：2023-04-01
废止
基本信息
GB/T 42271-2022
现行
2022-12-30
2023-04-01
国家标准委
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
国家标准委
全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
北京天科合达半导体股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、有色金属技术经济研究院有限责任公司
彭同华、佘宗静、李素青、王波、刘立娜、王大军、张贺、杨建、袁松
标准简介
本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。 本文件适用于测量电阻率范围为1×105Ω·cm~1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。
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