锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals

GB/T 11297.7-1989现行国家标准

标准状态

发布于：1989-03-31

实施于：1990-01-01

废止

标准号GB/T 11297.7-1989

标准状态现行

发布日期1989-03-31

实施日期1990-01-01

中国标准分类号L32

主管部门国家标准委

技术归口国家标准委

起草单位航空航天部8358研究所

本方法适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。本方法所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的，在特定位置上施加电极接触，用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。本方法适用于电阻率10～10Ω·cm的锑化铟单晶样品。