用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

GB/T 14863-1993已废止国家标准

标准状态

发布于：1993-12-30

实施于：1994-10-01

已废止

标准号GB/T 14863-1993

标准状态已废止

发布日期1993-12-30

实施日期1994-10-01

中国标准分类号L41 半导体二极管

主管部门工业和信息化部（电子）

技术归口工业和信息化部（电子）

起草单位机械电子工业部46所和4所

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录B）的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。