Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
Test method for crystal quality of III-nitride epitaxial layers
标准状态
发布于：2014-12-31
实施于：2015-09-01
废止
基本信息
GB/T 30653-2014
现行
2014-12-31
2015-09-01
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
中国科学院半导体研究所
孙宝娟、赵丽霞、李晋闽、王军喜、曾一平
标准简介
本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法原理、仪器、测试环境、样品、测试、测试结果的分析、精密度以及测试报告。 本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。
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