非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
标准状态
发布于：2018-10-22
实施于：2019-04-01
废止
基本信息
标准简介
本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法，包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。 本标准适用于非本征半导体材料，如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试，测试样品（外延层）的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定，但已对电阻率0.1Ω · cm~50Ω · cm、载流子寿命短至2ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过i试扩散长度后计算出硅中的铁含量，具体见附录A。 本标准也可用于
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