重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

GB/T 24580-2009现行国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

废止

标准号GB/T 24580-2009

标准状态现行

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人马农农、何友琴、丁丽

本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。