硅片表面平整度测试方法

Testing methods for surface flatness of silicon slices

GB/T 6621-2009现行国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

废止

标准号GB/T 6621-2009

标准状态现行

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 6621-1995

起草单位上海合晶硅材料有限公司

起草人徐新华、严世权、王珍

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,电阻率不大于200Ω.cm厚度不大于1000?m的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。