硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

GB/T 14144-2009现行国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

废止

标准号GB/T 14144-2009

标准状态现行

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 14144-1993

起草单位峨嵋半导体材料厂

起草人杨旭、江莉

本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。