表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
标准状态
发布于：2021-05-21
实施于：2021-12-01
废止
基本信息
GB/T 40109-2021
现行
2021-05-21
2021-12-01
中国科学院
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
中国科学院
中国电子科技集团公司第四十六研究所
马农农、何友琴、王东雪、李展平、陈潇、张鑫
标准简介
本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。 本文件适用于硼原子浓度范围1 × 1016atoms/cm3~1×1020atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50nm及以上。
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