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半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 第1部分:MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs

GB/T 45716.1-2026现行国家标准

标准状态

发布于:2026-04-30
实施于:2026-11-01
废止

基本信息

GB/T 45716.1-2026
现行
2026-04-30
2026-11-01
L40 半导体分立器件综合
31.080.30 三极管
工业和信息化部(电子)
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
工业和信息化部(电子)

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