半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 第1部分:MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
标准状态
发布于:2026-04-30
实施于:2026-11-01
废止
基本信息
GB/T 45716.1-2026
现行
2026-04-30
2026-11-01
工业和信息化部(电子)
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
工业和信息化部(电子)