L53 半导体发光器件

收录 144 项

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标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
SJ/T 10248-1991	电子元器件详细规范GD-24型光电管(可供认证用)	现行	1991-11-12	1992-01-01
SJ/T 10729-1996	交流粉末电致发光玻璃显示器件总规范(可供认证用)	现行	1996-07-22	1997-11-01
SJ/T 11152-1998	交流粉末电致发光显示器件空白详细规范	现行	1998-03-11	1998-05-01
SZDB/Z 73-2013	玩具中发光二极管（LED）辐射测试方法	现行	2013-01-23	2013-02-01
SJ/T 11486-2015	小功率LED芯片技术规范	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 11485-2015	LED型号命名规则	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 2658.13-2015	半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.12-2015	半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.11-2015	半导体红外发射二极管测量方法第11部分：响应时间	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.10-2015	半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.9-2015	半导体红外发射二极管测量方法第9部分：辐射强度空间分布和半强度角	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.3-2015	半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.2-2015	半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.1-2015	半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.8-2015	半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.7-2015	半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.6-2015	半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.5-2015	半导体红外发射二极管测量方法第5部分：串联电阻	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.4-2015	半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11577-2016	SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法应用指南	现行	2016-01-15	2016-06-01