L53 半导体发光器件

收录 144 项

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标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
SJ/T 2658.14-2016	半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温	现行	2016-01-15	2016-06-01
SJ/T 2658.16-2016	半导体红外发射二极管测量方法第16部分：光电转换效率	现行	2016-01-15	2016-06-01
SJ/T 2749-2016	半导体激光二极管测试方法	现行	2016-01-15	2016-06-01
SJ/T 11579-2016	LED模块接口规则	现行	2016-01-15	2016-06-01
SJ/T 11580-2016	普通照明用LED模块(LED部件)接口规则	现行	2016-01-15	2016-06-01
SJ/T 2658.13-2015	半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.12-2015	半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.11-2015	半导体红外发射二极管测量方法第11部分：响应时间	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.10-2015	半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.9-2015	半导体红外发射二极管测量方法第9部分：辐射强度空间分布和半强度角	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.3-2015	半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.2-2015	半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.1-2015	半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.8-2015	半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.7-2015	半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.6-2015	半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.5-2015	半导体红外发射二极管测量方法第5部分：串联电阻	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 2658.4-2015	半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容	现行	2015-10-10	2016-04-01
SJ/T 11486-2015	小功率LED芯片技术规范	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 11485-2015	LED型号命名规则	现行	2015-04-30	2015-10-01