纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
标准状态
发布于：2017-05-12
实施于：2017-12-01
废止
基本信息
GB/T 33657-2017
现行
2017-05-12
2017-12-01
中国科学院
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
中国科学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
陈一峰、陈小刚、宋志棠
标准简介
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。 本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。 本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
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