发光二极管芯片点测方法

Probe test method for light emitting diode chips

GB/T 36613-2018现行国家标准

标准状态

发布于：2018-09-17

实施于：2019-01-01

废止

标准号GB/T 36613-2018

标准状态现行

发布日期2018-09-17

实施日期2019-01-01

中国标准分类号L45 微波、毫米波二、三极管

国际标准分类号31.260 光电子学、激光设备

主管部门工业和信息化部（电子）

发布部门国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口工业和信息化部（电子）

起草单位三安光电股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、厦门市三安光电科技有限公司、广州赛西标准检测研究院有限公司

起草人蔡伟智、梁奋、吕艳、金威、时军朋、刘秀娟、李国煌、邵晓娟、周钢

本标准规定了发光二极管芯片（以下简称“芯片”）光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。