碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法
Gate charge test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors（SiC MOSFET）
标准状态
发布于：2024-11-19
实施于：2024-11-19
废止
基本信息
T/CASAS 037-2024
现行
2024-11-19
2024-11-19
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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标准简介
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、导通电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如新能源汽车、航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在高温、高频等极端环境下工作的电子器件。栅极电荷"Q" _"G" 是评价器件特性的关键参数，特别是对于开关和驱动器损耗估计，准确测试提取器件"Q" _"GS" ，阈值栅源电荷"Q" _"GS,th" ，栅漏电荷"Q" _"GD" 以及完整开关过
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