半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability
标准状态
发布于:2026-08-28
实施于:2027-03-01
废止
基本信息
GB/T 48164.1-2026
即将实施
2026-08-28
2027-03-01
工业和信息化部(电子)
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
工业和信息化部(电子)